低壓可控硅投切開關
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KS/TSC可控硅開關(晶閘管),其原理為通過對電壓、電流過零的檢測控制,保證在電壓零區附 近投入電容器組,從而避免了合閘涌流的產生,而切斷又在電流過零時完成,避免了暫態過電壓的出 現,這就從功能上符合了電容器的過零投切的要求,另外由于可控硅的觸發次數沒有限制,可以實現 準動態補償(響應時間在毫秒級),因此適用于電容器的頻繁投切,非常適用于頻繁變化的負荷情 況,相對于交流接觸器有了質的飛躍。可控硅開關的優點是能實現過零投切、動作迅速、反應快,多 用于動態補償的場合。
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KS/TSC可控硅開關(晶閘管),其原理為通過對電壓、電流過零的檢測控制,保證在電壓零區附近投入電容器組,從而避免了合閘涌流的產生,而切斷又在電流過零時完成,避免了暫態過電壓的出現,這就從功能上符合了電容器的過零投切的要求,另外由于可控硅的觸發次數沒有限制,可以實現準動態補償(響應時間在毫秒級),因此適用于電容器的頻繁投切,非常適用于頻繁變化的負荷情況,相對于交流接觸器有了質的飛躍。可控硅開關的優點是能實現過零投切、動作迅速、反應快,多用于動態補償的場合。
●額定工作電壓:400V/230V+20%;
●電壓畸變率:≤5%;
●額定頻率:50Hz+5;
●額定絕緣電壓:690V;
●使用壽命:大于50萬次;
●控制容量:三相≤60kvar:△型接法;單相≤20kvar:Y形接法;
●接觸壓降:≤100mV;
●電路功耗:≤3VA;
●響應時間:≤20ms;
●接點耐壓:≥1600V;
●外形尺寸:90mmx165.5mmx77.5mm;
●每次接通與關斷間隔:≥1秒;
●導通阻抗≤0.003歐姆;
●最低電壓信號DC9.5V/1.3mA;額定信號電壓DC12V/5mA;
●連續兩次接通間隔:≥100秒;
注:當開關接通電源或斷開后再導通須延時100秒(內定)
●鐵芯采用優質低損耗進口冷軋取向硅鋼片,芯柱由多個氣隙分成均勻小段,氣隙采用環氧層壓玻璃布板作間隔,以保證電抗氣隙在運行過程中不發生變化。
●線圈采用H級或C級漆包扁銅線繞制,排列緊密且均勻,外表不包絕緣層,具有極佳的美感且有較好的散熱性能。
●電抗器的線圈和鐵芯組裝成一體后經過預烘-→真空浸漆-→熱烘固化這一工藝流程,采用H級浸漬漆,使電抗器的線圈和鐵芯牢固地結合在一起,不但大大減小了運行時的噪音,而且具有極高的耐熱等級,可確保電抗器在高溫下亦能安全地無噪音地運行。
●電抗器芯柱部分緊固件采用無磁性材料,確保電抗器具有較高的品質因數、較低的溫升以及更好的濾波效果。
●外露部件均采取了防腐蝕處理,引出端子采用冷壓銅管端子。
●海拔高度不超過2000米(2000米以上按標準修正);
●環境溫度:-40~+50C;
●安裝場所無劇烈的機械振動、無有害氣體及蒸汽、無導電性及爆炸性塵埃;
●連續運行電壓1.0Un,長期過電壓最高值不超過1.1Un;
●穩態過電流(包括諧波電流)不超過1.5In.
A.共補 | B.共補 | ||
型號 | 配套電容容量/kvar | 型號 | 配套電容容量/kvar |
KS/TSC-5A | 5 | KS/TSC-5Y | 5 |
KS/TSC-10A | 10 | KS/TSC-10Y | 10 |
KS/TSC-15A | 15 | KS/TSC-15Y | 15 |
KS/TSC-20A | 20 | KS/TSC-20Y | 20 |
KS/TSC-25A | 25 | KS/TSC-25Y | 25 |
KS/TSC-30A | 30 | KS/TSC-30Y | 30 |
KS/TSC-40A | 40 |
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